Ученые из России и Китая разработали технологию для создания электроники нового типа

Вполне вероятно, что уже в скором будущем магнитная память станет неотъемлемым элементом в каждом современном гаджете.

Российские учёные из Дальневосточного федерального университета (ДВФУ) совместно с зарубежными коллегами из Института физики Китайской академии наук создали элемент магнитной памяти на основе данных из нового направления в физике – спин-орбитроники.

Ученые утверждают, что созданная ими магнитная память в перспективе сможет заменить собою традиционные полупроводниковые технологии, которые есть в каждом гаджете. Технология позволит пользоваться смартфонами и компьютерами несколько недель и при этом не прибегать к подзарядке устройств.

Работа ведётся в рамках нацпроекта «Наука и университеты» Минобрнауки России. Результаты опубликованы в журнале Nano Letters.

Как это работает?

Прежде всего ученые меняют направление спинов электронов, а после записывают данные на магнитный носитель. Да-да, звучит сложно, однако именно благодаря такому методу передавать и накапливать информацию в своем мобильном можно будет гораздо дольше, чем на имеющихся на данный момент гаджетах.

Кроме того, такие спиновые системы будут гораздо эффективнее жестких магнитных дисков (HDD), твердотельной памяти (SSD) и оперативной памяти (DRAM, SRAM). В перспективе проект может развиться до того, что ученым станут доступны механизмы создания аппаратных систем искусственного интеллекта и даже квантового компьютера.